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Re: [color=darkblue]2003 年全国电磁辐射生物学学术会议论文集[/color]
Session 3-4
电磁场的细胞和分子作用
Junji Miyakoshi
Department of Radiological Technology, School of Health Sciences, Faculty of Medicine, Hirosaki
University, 66-1 Hon-cho, Hirosaki, 036-8564, Japan
Tel: +86-172-39-5964. Fax: +81-172-33-2830. E-mail: miyakosh@cc.hirosaki-u.ac.jp
摘要:
我们设计和制造了几种用于细胞辐射的高强度的极低频电磁场(5 to 400 mT)装置。本文报道了
我们关于ELF 电磁场对基因影响的研究。高强度ELF 电磁场暴露,如400 mT,50 Hz ,可能存
在遗传毒性。我们发现暴露于400 mT ELF 电磁场后,培养细胞中HPRT 基因突变以及一些基因的
表达明显增加。细胞暴露于高强度400 mT ELF 电磁场可影响细胞的信号传导,导致基因表达增强。
简介:
在现代社会中,越来越广泛的电能量使用使职业和非职业人员更多地暴露于ELF 电磁场。引
起ELF 电磁场促进或协同促进致癌的思索。一些流行病学研究已经显示ELF 电磁场与几种类型癌
症的发生,尤其是白血病和脑癌的发生有关。但是,其他研究并没有发现ELF 电磁场与癌症发生的
任何关系。
在体外研究中,对低通量密度电磁场的效应亦存在不同看法。我们设计和制造了几种用于细胞
辐射的高强度的极低频电磁场(5 to 400 mT)装置 [1.3]。本文报道了我们关于ELF 电磁场对基因影
响的研究。
ELF 电磁场和X-射线的辐照装置: 400 mT, 50 mT 和5 mT ELF 电磁场的辐照装置已经详细描述于
文献 [1.3]。简而言之,5 mT (60 Hz ± 0.1 Hz) ELF 电磁场辐照装置包括一个CO2 孵箱,内有一
个使用两个Helmholtz 线圈构建的磁场发生器。对于50 mT (60 Hz ± 0.1 Hz) ELF 电磁场系统包含
一个由两个Helmholtz 线圈构建的磁场发生器,同样放置在一个CO2 孵箱中。 400 mT 辐照装置,
通过一对磁性电极产生垂直定向的磁场。一个丙烯酸 CO2 孵箱安置在电极之间。功率源是AC 200
V, 50 Hz (± 0.1 Hz)三相和35 kVA 。这些ELF 电磁场的波形是正弦波。暴露空间的温度保持 37
± 0.2 oC。在磁场强度(,) 为5, 50 and 400 mT 时,15 cmφ 环形培养板外沿的平均诱导的电流强度分别
是115, 1150 and 7660 mA/m2 。对照实验在一个单独的房间使用一个常规的孵箱。在常规孵箱中测
得的ELF 电磁场是小于0.5μT。使用一个Hitachi MBR-1520 发射X-射线,该装置在150 kVp, 20 mA
带有0.5 mm Al and 0.1 mm Cu 滤片,发射量是0.98-1.02 Gy min-1 [4]。
基因表达: 对于基因表达的研究,检测了5 mT ELF 电磁场对中国仓鼠卵巢c-myc mRNA 表达的作
用。在ELF 场暴露组,假辐射组和常规孵箱培养组中CHO 细胞的c-myc 的表达没有明显改变[3]。
400 mT 电磁场暴露加强了 PC12-VG 细胞中由forskolin 刺激的β-galactosidase 基因表达[5, 6] 。 ELF
电磁场的这种加强作用可被PKC 特异性抑制剂-calphostin C 以及钙进入阻断剂nifedipin 和 dantrolen
所抑制。
CHO-K1 细胞暴露到400 mT ELF 电磁场后,发现神经元来源的orphan 受体 (NOR-1) 基因表
达加强,但5 mT 磁场暴露未发现该效应[7]。400 mT ELF 电磁场引起的这种增强作用,在6 小时达
到高峰,但其是短暂的,24 h 后回到对照水平。由forskolin 和TPA 诱导的 NOR-1 表达可被400 mT
ELF 电磁场暴露进一步加强,最大反应出现在暴露3 小时处。
突变: 对于突变反应,400 mT ELF 电磁场暴露诱导人恶性黑素瘤MeWo 细胞的次黄嘌呤-鸟嘌呤
phosphoribosyl 转移酶 (HPRT) 基因突变 [8.10]。随着暴露时间和诱导电流强度的增加,突变频率
也增加。ELF 电磁场暴露增加了X-射线引起的突变。在ELF 电磁场暴露期间,DNA 复制被抑制,
但突变频率没有显著增加。在同步生长的DNA-合成期,ELF 电磁场诱导的突变增加。
DNA 复制错误可能导致ELF 电磁场暴露诱导的突变。
低电流密度的ELF 电磁场暴露是否诱导的突变是有争议的。我们研究了长期暴露到5 mT
60Hz ELF 电磁场的突变频率。分析了CHO-K1 细胞暴露或假暴露到5 mT ELF 电磁场6 周,同时
接受或不接受X-辐射 (3 Gy) 时,HPRT 基因的突变频率[11] 。长期暴露到 5 mT ELF 电磁场没有增
加突变,表明引起突变的电磁场强度大于5 mT 。然而,长期暴露到5mT ELF 电磁场后再接受X-射
线辐射可加强X-射线诱导的突变率。
这些结果表明大于5 mT ELF 电磁场暴露可以增加X-射线-诱导的突变。
结论:
多数已发表的实验表明低强度的ELF 电磁场所致遗传毒性尚没有明确的论证。然而,高强度
ELF 电磁场(400 mT,50 Hz) 的作用可能导致遗传毒性。我们发现培养细胞暴露到400 mT ELF 电
磁场之后,HPRT 基因突变和一些基因的表达明显增加。高强度400 mT ELF 电磁场暴露可能影响
这些暴露细胞的信号转导,导致基因表达的加强。ELF 电磁场的阳性结果在低强度ELF 电磁场(5
mT)中没有发现。引起突变诱导和基因表达的电磁场阈值至少大于5 mT 。
Acknowledgement: This research was supported in part by the Research for the Future Program, Japan
Society for the Promotion of Science, Japan.
参考文献:
[1] J. Miyakoshi, S. Ohtsu, J. Tatsumi-Miyajima and H. Takebe, “A newly designed experimental system for exposure of
mammalian cells to extremely low frequency magnetic fields.” J. Radiat. Res., vol. 35, pp. 26-34, 1994.
[2] J. Miyakoshi, S. Ohtsu, T. Shibata and H. Takebe, “Exposure to magnetic field (5 mT at 60 Hz) does not affect cell growth
and c-myc gene expression.” J. Radiat. Res., vol. 37, pp. 185-191, 1996.
[3] J. Miyakoshi, Y. Mori, H. Yaguchi, G.-R. Ding and A. Fujimori, “Suppression of heat-induced HSP-70 by simultaneous
exposure to 50 mT magnetic field.” Life Sci., vol. 66, pp. 1187-1196, 2000.
[4] J. Miyakoshi, and K. Yagi, “Inhibition of IκB-α phosphorylation at serine and tyrosine acts independently on
sensitization to DNA damaging agents in human glioma cells.” Br. J. Cancer, vol. 82, pp. 28-33, 2000.
[5] S. Ohtsu, J. Miyakoshi, T. Tsukada, M. Hiraoka, M. Abe and H. Takebe, “Enhancement of -galactosidase gene
expression in rat heochromocytoma cells by exposure to extremely low frequency magnetic fields.” Biochem. Biophys. Res.
Communi., vol. 212, pp. 104-109, 1995.
[6] J. Miyakoshi, S. Ohtsu, M. Hiraoka, M. Abe and H. Takebe, “Exposure to 50 Hz magnetic field enhances -galactosidase
activity in rat PC12-VG cells.” J. Jap. Soc. Applied Electromag. Mechan., vol. 3, pp. 52-56, 1995.
[7] J. Miyakoshi, T. Tsukada, S. Tachiiri, S. Bandoh, K. Yamaguchi and H. Takebe, “Enhanced NOR-1 gene expression by
exposure of Chinese hamster cells to high-density 50 Hz magnetic fields.” Mol. Cell. Biochem., vol. 181, pp. 191-195, 1998.
[8] J. Miyakoshi, N. Yamagishi, S. Ohtsu, K. Mohri and H. Takebe, “Increase in hypoxanthine-guanine phosphoribosyl
transferase gene mutations by exposure to high-density 50 Hz magnetic fields.” Mutati. Res., vol. 349, pp. 109-114, 1996.
[9] J. Miyakoshi, K. Kitagawa and H. Takebe, “Mutation induction by high-density 50 Hz magnetic fields in human MeWo
cells exposed in the DNA synthesizing phase.” Int. J. Radiat. Biol., vol. 71, pp. 75-79, 1997.
[10] J. Miyakoshi, Y. Mori, N. Yamagishi, K. Yagi and H. Takebe, “Suppression of high-density magnetic field (400 mT at 50
Hz)-induced mutations by wild-type p53 expression in human osteosarcoma cells.” Biochem. Biophysi. Res. Commun., vol.
243, pp. 579-584, 1998.
[11] J. Miyakoshi, T. Koji, T. Wakasa and H. Takebe, “Long term exposure to a magnetic field (5 mT at 60 Hz) increases
X-ray-induced mutations.” J. Radiat. Res., vol. 40, pp. 13-21, 1999. |
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